Органическая память на золотых наночастицах

Учёными активно ведутся поиски подходящих материалов для создания памяти с хорошими техническими характеристиками. Также важным показателем является стоимость производства. Именно на этом параметре акцентируют внимание разработчики новой технологии.

Для создания образца памяти нового типа учёные применили наночастицы золота и органическое вещество пентацен, которое применяется в качестве полупроводника. Инновационное устройство имеет многослойную структуру. На кремниевый субстрат с проводимостью n-типа наносят тонкий 4,5-нм слой диоксида кремния, широко применяющегося в качестве подзатворного диэлектрика в современных транзисторах. Поверх него наносится слой пентацена с наночастицами золота. В качестве материала для электрода выбрано золото.

Наночастицы золота, которые представляют собой слой толщиной 3...5 нм, играют роль ячеек с хранением (запоминанием) заряда. Для получения «стройного» слоя разработчики поместили наночастицы в соль лимонной кислоты. Роль полупроводникового материала, как уже отмечалось, берёт на себя пентацен.

Для тестирования образца памяти исследователи изучали зависимость её состояния от приложенного напряжения. При подаче отрицательного напряжения носители позитивного заряда (дырки) с кремния инжектируются в слой пентацена и далее захватываются золотыми наночастицами. При подаче напряжения противоположного знака наночастицы дырки «отдают».

О сроках внедрения своего изобретения в реальные продукты исследователи пока ничего не говорят. Возможно, это один из множества «мертворожденных» проектов. Учёные верят, что освоение новой технологии выведет на новый уровень молекулярную электронику.

www.physorg.com

На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.