Компания Cree начала серийное производство новых полупроводниковых ламп Cree® XLampTM XR-E7090. На сегодняшний день это самые высокоэффективные в мире кристаллы мощных светодиодов на основе InGaN-структур на SiC-подложке, со световым потоком до 100 лм при токе 350 мА, упакованные в уникальные корпуса для поверхностного монтажа с рассеиваемой мощностью более 3 Вт. Применение новейших кристаллов позволило снизить потребляемую полупроводниковой лампой мощность на 30%: до 1,05 Вт при токе 350 мА и до 2 Вт при токе 700 мА в сравнении с предыдущими семействами. Корпус XR-Е7090 обеспечивает рекордно низкое тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом - 8оС/Вт и равномерный градиент температуры поверхности теплоотводящего основания. Применение в качестве первичной оптики линзы из кварцевого стекла с автофокусировкой позволяет обеспечить высокую температурную стабильность и долговечность оптической системы. Малая эквивалентная площадь излучающей поверхности позволяет получить малые углы рассеивания светового потока при использовании вторичной оптики. Полупроводниковые лампы Cree® XLampTM XR-Е7090 предназначены для автоматизированного монтажа и пайки с использованием стандартных технологических процессов, что обеспечивает низкую себестоимость готовых изделий и упрощает обеспечение теплового режима приборов. Области применения Cree® XLampTM XR-Е7090 включают в себя высокоэффективные источники света для общего, аварийного и промышленного освещения, взрывобезопасного оборудования, подсветки ЖК-панелей мониторов большой площади, автономных светильников и фонарей, систем освещения автотранспорта. Применение Cree® XLampTM в светотехнике позволяет достичь максимальной светоотдачи, упростить процесс разработки и гарантировать высокую эксплуатационную надёжность изделий при любых внешних воздействиях. Новые полупроводниковые лампы XR-Е7090 доступны со склада в Москве с первого квартала 2007 г. Компания Cree начала серийное производство новых полупроводниковых ламп Cree® XLampTM XR-E7090. На сегодняшний день это самые высокоэффективные в мире кристаллы мощных светодиодов на основе InGaN-структур на SiC-подложке, со световым потоком до 100 лм при токе 350 мА, упакованные в уникальные корпуса для поверхностного монтажа с рассеиваемой мощностью более 3 Вт. Применение новейших кристаллов позволило снизить потребляемую полупроводниковой лампой мощность на 30%: до 1,05 Вт при токе 350 мА и до 2 Вт при токе 700 мА в сравнении с предыдущими семействами. Корпус XR-Е7090 обеспечивает рекордно низкое тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом - 8оС/Вт и равномерный градиент температуры поверхности теплоотводящего основания. Применение в качестве первичной оптики линзы из кварцевого стекла с автофокусировкой позволяет обеспечить высокую температурную стабильность и долговечность оптической системы. Малая эквивалентная площадь излучающей поверхности позволяет получить малые углы рассеивания светового потока при использовании вторичной оптики. Полупроводниковые лампы Cree® XLampTM XR-Е7090 предназначены для автоматизированного монтажа и пайки с использованием стандартных технологических процессов, что обеспечивает низкую себестоимость готовых изделий и упрощает обеспечение теплового режима приборов. Области применения Cree® XLampTM XR-Е7090 включают в себя высокоэффективные источники света для общего, аварийного и промышленного освещения, взрывобезопасного оборудования, подсветки ЖК-панелей мониторов большой площади, автономных светильников и фонарей, систем освещения автотранспорта. Применение Cree® XLampTM в светотехнике позволяет достичь максимальной светоотдачи, упростить процесс разработки и гарантировать высокую эксплуатационную надёжность изделий при любых внешних воздействиях. Новые полупроводниковые лампы XR-Е7090 доступны со склада в Москве с первого квартала 2007 г.
Тел. (495) 232-2522
Комментарии