07.12.2007

Японская компания NEC Corporation всерьёз занимается разработкой магниторезистивной памяти c произвольной выборкой (MRAM, magnetoresistive random access memory) ещё с 2000 г., т.е. уже около семи лет. Мы не так часто слышим об успехах NEC в этой области, но вот на днях она заявила о создании MRAM-микросхемы, совместимой с чипами SRAM и способной работать на частоте 250 МГц, что, если верить разработчикам, является наилучшим показателем в отрасли на сегодняшний день.

Новый чип MRAM имеет ёмкость 1 Мбит. Одна ячейка памяти включает два транзистора, один магнитный туннельный переход, а сама микросхема построена таким образом, чтобы уравновесить паразитные ёмкостные сопротивления линий разрядов данных и служебных разрядов, что увеличивает быстродействие в режиме произвольного чтения.

Согласно внутренним тестам компании, время выдачи данных достигает 3,7 нс. Данные снимаются по фронту синхроимпульса частотой 250 МГц. Отмечается, что по тактовой частоте новый чип NEC ненамного отстаёт от типичных встраиваемых чипов SRAM и при этом имеет малое тепловыделение.

Представители NEC считают, что совокупность таких особенностей новой памяти, как высокое быстродействие, энергонезависимость, а также теоретически бесконечное число циклов записи, должна обеспечить MRAM светлое будущее. MRAM-память в будущем может заменить статическую память в микросхемах с высокой степенью интеграции (LSI), а также применяться в рекордерах оптических дисков для препятствования потере данных при внезапном прекращении подачи питания. На этом сфера применения новой памяти не ограничивается.

Когда компания планирует начать массовое производство новых микросхем памяти, представители NEC не уточняют.

nec.co.jp