Hitachi и Renesas Technology анонсировали создание опытного 512-Кб модуля, предназначенного для использования в качестве встраиваемой энергонезависимой памяти в чипах нового поколения. Он имеет напряжение питания 1,5 В, обеспечивает скорость чтения/записи 416 Кб/с и время доступа 20 нс. Данное устройство, представленное на конференции ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) в Сан Франциско, базируется на ранее разработанной технологии ячеек с механизмом запоминания, использующей переход между аморфным и кристаллическим состояниями с изменением электрического сопротивления. Для переключения фаз сила тока записи должна составлять порядка 100 мкА, что значительно меньше, чем у распространённой сейчас энергонезависимой памяти, встраиваемой в чипы. Это устраняет необходимость в высоковольтном источнике питания, позволяя уменьшить размеры модуля и достигнуть более высокого уровня плотности схем. Экспериментальный модуль изготовлен с использованием 130-нм КМОП-процесса. В нём применены последовательная схема записи и двухкаскадный усилитель считывания, обеспечивающие высокое быстродействие при малом энергопотреблении.
Hitachi и Renesas представили быстродействующую фазовую память
Поделиться:
Комментарии