Российские учёные разработали экономичный и простой метод получения полупроводника на основе оксида цинка (ZnO) для использования в нагревательных устройствах и энергосиловом оборудовании. Улучшенный материал способен выдерживать температуры свыше 700 °C, сообщает пресс-служба НИТУ МИСИС.
Для улучшения качества материала были добавлены примеси, увеличивающие концентрацию носителей заряда и образующие наноструктуры и дефекты, снижающие теплопроводность. Основная задача − равномерно распределить эти добавки и дефекты в объёме материала и достичь однородности структуры, поясняет Жанна Ермекова, научный сотрудник НИЦ «Конструкционные керамические наноматериалы» НИТУ МИСИС (Москва).
Полученный материал относится к термоэлектрикам − особому классу веществ, способных преобразовывать тепловую энергию в электрический ток или использовать электричество для переноса тепла. Это позволяет использовать такие материалы для генерации электричества, разработки систем охлаждения и создания датчиков температуры.
Учёные разработали более простой и дешёвый метод получения одного из полупроводниковых термоэлектрических материалов на основе оксида цинка. В настоящее время его получают путём смешивания компонентов в жидкой форме и обработки источниками тепла. Однако исследователи обнаружили, что высококачественный полупроводник на основе оксида цинка можно получить методом горения распылённого раствора.
Этот подход упрощает процесс, исключает стадию термообработки и снижает затраты энергии, предотвращая нежелательное отделение легирующих элементов, повышающих электропроводность ZnO и снижающих его теплопроводность. Метод также позволяет создавать жаропрочные термоэлектрики и использовать различные виды топлива для их производства.
Учёные выяснили, что тип топлива влияет на структуру синтезируемых микросфер из оксида цинка и некоторые другие их характеристики, включая плотность. В перспективе это позволит подбирать оптимальные технологические параметры синтезируемых термоэлектрических материалов, меняя тип топлива.
Источник: https://nauka.tass.ru/nauka/20559095
США и Евросоюз выделили около 81 миллиарда долларов на разработку полупроводников нового поколения
США и Европейский Союз инвестировали почти 81 миллиард долларов в разработку полупроводников нового поколения, что усиливает глобальную конкуренцию с Китаем за лидерство в области чипов. Эта сумма составляет первую часть из почти 380 миллиардов долларов, выделенных правительствами разных стран для увеличения производства мощных микропроцессоров. Этот рост инвестиций обострил соперничество между Вашингтоном и Пекином в сфере передовых технологий, что определит будущее мировой экономики. 16.05.2024 133 0 0Российские производители электроники ищут альтернативные способы закупки китайских компонентов из-за проблем с оплатой
Это связано с «фактической блокировкой оплаты» поставок из КНР. Чтобы не остаться без нужного им «железа», они стали проводить платежи через посредников – китайских компаний, работающих в России. Это может привести к росту цен на конечную продукцию. 16.05.2024 144 0 0Китайские фирмы добились прорыва в сфере высокопроизводительных чипов
Две китайские частные компании находятся на начальном этапе производства чипов с высокой пропускной способностью (HBM), которые предназначены для использования в ИИ-чипсетах, сообщает агентство Reuters со ссылкой на свои источники и полученные документы. 16.05.2024 140 0 0Xiaomi представила новый датчик присутствия людей
Xiaomi анонсировала новый датчик под названием People Presence Sensor, способный точно определять наличие людей в зоне действия. В отличие от Mijia Human Body Sensor 2S, этот датчик оснащён маломощным миллиметровым радаром, обеспечивающим больший угол обзора (130°) и возможность динамического обнаружения движения на расстоянии до 6 метров, а также статического обнаружения на расстоянии до 4 метров. Этот датчик не просто обнаруживает движение, но и способен фиксировать людей, даже если они неподвижны. 15.05.2024 156 0 0