Читайте в номере Показать содержание

Стр. 8
Индукционная лампа – источник качественного и энергоэффективного освещения
Сергей Макареня, Александр Павлов, Николай Фомин

Научные исследования подтверждают, что, наряду с высокой светоотдачей, на качество освещения влияет спектр источника света, который выражается в параметрах цветопередачи и цветовой температуры. Поэтому многие производители источников света в последнее время сосредоточили усилия на улучшении характеристик своих изделий. Примером является индукционная лампа, в которой были воплощены идеи Николая Теслы.

Стр. 14
Разработка керамики на основе нитрида алюминия для изделий электронной техники
Юрий Непочатов, Анастасия Земницкая, Павел Муль

С увеличением мощности электронных компонентов, требующих эффективного рассеяния тепла, возникает необходимость разработки материалов с высокой теплопроводностью. Одним из таких материалов является нитрид алюминия. В настоящей работе представлены результаты разработки составов и технологии изготовления керамики из нитрида алюминия.

Стр. 24
DC/DC-преобразователи компании International Rectifier для ответственных применений
Александр Седунов

В контексте истории развития DC/DCпреобразователей компании International Rectifier приводятся сравнительные характеристики моделей специального применения.

Стр. 28
Микроконтроллерные платформы для приложений реального времени
Николай Кольский

Статья посвящена концепции цифровых сигнальных микроконтроллеров, предлагаемых ведущими мировыми производителями.

Стр. 36
Монолитные интегральные схемы СВЧ на основе технологии GaAs MESFET
Алексей Голиков, Евгений Копылов, Татьяна Голикова

С развитием технологии MESFET на GaAs стало возможным производство интегральных схем СВЧ. В России лишь несколько предприятий не утратили технологию производства ИС и модулей с рабочими частотами свыше 100 ГГц. В данной статье описаны интегральные схемы UHF- и S-диапазонов – усилителей промежуточной частоты, усилителей мощности, двойных балансных активных модуляторов и демодуляторов, коммутаторов – в корпусном и бескорпусном исполнении. Приборы реализованы на основе технологии GaAs MESFET с проектными нормами 0,5 мкм.

Информация о ценах

№9 / 2011 Годовая подписка 2017