Стр. 10
Моделирование новой бета-вольтаики на монокристаллах LPE i-GaAs
Виктор Войтович, Александр Гордеев, Анатолий Думаневич
В статье показана исключительно перспективная возможность создания бета-источников питания на основе изотопов 147Pm и монокристаллов LPE i-GaAs, с эффективной мощностью преобразования не менее чем в 45 раз выше в сравнении с бета-источниками на основе изотопа 63Ni и кремния.
Стр. 24
Оптимизация производства отечественного сапфира
Сергей Малюков, Юлия Клунникова
В настоящее время сформировались две основные области применения сапфира: в качестве конструкционного материала с уникальными механическими характеристиками (микроэлектроника, ювелирное дело, медицина, атомная промышленность) и в качестве оптического материала с не менее уникальными возможностями (линзы, призмы, световоды, лазерные элементы, светодиоды). Выращивание крупных кристаллов сапфира с повышенным структурным совершенством стало первоочередной задачей современной науки и техники.
Стр. 40
Современные МЭМС-продукты компании Analog Devices. Часть 1
Юрий Петропавловский
В статье рассмотрена история создания микросхем с интегрированными МЭМС компании Analog Devices. Приведены параметры и рассмотрены особенности современных аналоговых и цифровых акселерометров и гироскопов, выпускаемых компанией.
Стр. 62
Матричные системы электропитания – новый этап развития технологий АФАР
Александр Гончаров
В статье обсуждаются особенности построения матричных систем распределённого электропитания для активных фазированных антенных решёток.
Стр. 96
Российская электроника: импортозамещение и перспективы развития
22 апреля 2015 г. в Москве состоялась III Ежегодная конференция «Российская электроника: импортозамещение и перспективы развития». Мероприятие организовано газетой «Ведомости» для оценки тенденций развития и инструментов поддержки российской радиоэлектронной отрасли.