Купить / №6 / 2015

В статье показана исключительно перспективная возможность создания бета-источников питания на основе изотопов 147Pm и монокристаллов LPE i-GaAs, с эффективной мощностью преобразования не менее чем в 45 раз выше в сравнении с бета-источниками на основе изотопа 63Ni и кремния.

В настоящее время сформировались две основные области применения сапфира: в качестве конструкционного материала с уникальными механическими характеристиками (микроэлектроника, ювелирное дело, медицина, атомная промышленность) и в качестве оптического материала с не менее уникальными возможностями (линзы, призмы, световоды, лазерные элементы, светодиоды). Выращивание крупных кристаллов сапфира с повышенным структурным совершенством стало первоочередной задачей современной науки и техники.

В статье рассмотрена история создания микросхем с интегрированными МЭМС компании Analog Devices. Приведены параметры и рассмотрены особенности современных аналоговых и цифровых акселерометров и гироскопов, выпускаемых компанией.

В статье обсуждаются особенности построения матричных систем распределённого электропитания для активных фазированных антенных решёток.

22 апреля 2015 г. в Москве состоялась III Ежегодная конференция «Российская электроника: импортозамещение и перспективы развития». Мероприятие организовано газетой «Ведомости» для оценки тенденций развития и инструментов поддержки российской радиоэлектронной отрасли.