Купить / №7 / 2007

Читайте в номере

Полное СОДЕРЖАНИЕ НОМЕРА
Стр. 8

Проблемы применения современной индустриальной электронной компонентной базы иностранного производства в ракетно-космической технике

Николай Данилин, Сергей Белослудцев
В статье обоснованы сложившиеся в Российской Федерации тенденции применения в ракетнокосмической технике и смежных отраслях промышленности новейших образцов зарубежной электронной компонентной базы (ЭКБ), не имеющих аналогов в своём классе среди компонентов военного назначения. Приводятся рекомендации по выбору элементов для реализуемых проектов с учётом эволюции технологий и производственных процессов на рынке современной электронной компонентной базы.
Стр. 14

Проекционные дисплейные технологии, представленные на SID`07

Александр Самарин
SID International Symposium, Seminar & Exhibition - ежегодная традиционная выставка и конференция, организуемая Обществом информационных дисплеев (The Society for Information Display) для демонстрации самых последних достижений в области технологий отображения информации. Симпозиум и выставка SID`07 проводилась с 20 по 25 мая 2007 г. в Long Beach Convention Center, штат Калифорния. Статья знакомит с некоторыми новинками проекционных технологий, представленных на этом мероприятии.
Стр. 24

Высокоёмкие конденсаторы для 0,5-вольтовой наноэлектроники будущего

Александр Деспотули, Александра Андреева
В наноэлектронике с уменьшением технологических норм и напряжения электропитания до 0,5 В резко возрастает необходимость использования высокоёмких конденсаторов микронных размеров. Конденсаторы традиционных типов не обладают нужной плотностью ёмкости, радиационной и температурной стойкостью. В статье показана необходимость разработки наноионных суперконденсаторов (НСК) на основе плёнок передовых суперионных проводников (ПСИП).
Потребность рынка в таких приборах - дело ближайшего будущего.
Стр. 38

Импульсные источники вторичного электропитания с универсальным входом

Владимир Ланцов, Саркис Эраносян
Импульсные источники вторичного электропитания (ИВЭ) с универсальным входом способны функционировать в широком диапазоне изменения входного напряжения: сетевого переменного ~85...264 В частотой 47...440 Гц или постоянного тока 120...370 В.
В статье описываются принцип действия и особенности проектирования ИВЭ этого класса. Даны рекомендации по выбору схемотехнических решений и основных компонентов.
Стр. 52

Высоковольтный импульсный источник питания большой мощности с управлением от микропроцессора (часть 1)

Евгений Владимиров, Владимир Ланцов, Ольга Лебедева
В статье дан обзор высоковольтных импульсных модуляторов для питания СВЧ-приборов (клистронов, магнетронов) и рентгеновских трубок. Наибольшее внимание уделено высоковольтным модуляторам, которые чаще называются импульсными высоковольтными источниками питания (ВИП). Рентгеновская трубка, как специфический тип нагрузки, определяет существенные особенности построения и работы таких устройств.
В публикации приведены схемы ВИП для питания рентгеновских трубок, в том числе с микропроцессорным управлением, отмечены особенности функционирования ВИП, его устройств и компонентов, описан алгоритм управления.

Купить

№7 / 2007
Годовая подписка 2023
№7 / 2007
Годовая подписка 2023

Прием платежей от физических лиц временно приостановлен.
Приносим извинения за временное неудобство!

* Электронная версия с возможностью скачать и распечатать приобретённый номер журнала

** Бумажная версия с гарантированной доставкой на указанный адрес в непрозрачном бумажном конверте