Купить / №1 / 2007

В сентябре 2006 г. Правительство России одобрило стратегию развития электронной промышленности на 2007-2011 гг. Программа ставит своей целью наполовину сократить использование импортных комплектующих в производстве военной и специальной техники, что в конечном итоге должно послужить развитию отечественной электронной промышленности и выведению её на более высокий, конкурентоспособный уровень. Ничуть не сомневаясь в важности поставленной задачи, автор статьи высказывает свой взгляд на способы её решения и эффективность принятой программы.

В статье рассматриваются интерполирующие и сигма-дельта-ЦАП фирмы Analog Devices, выпускаемые автономно и в составе других, более сложных микросхем. Интерполирующие ЦАП используются в системах связи на частотах до 1,2 ГГц, а сигма-дельта-ЦАП - в системах высококачественного воспроизведения звука.

Статья описывает транзисторы BIMOSFET™ и сравнивает их с транзисторами других типов. Приводится множество электрических характеристик, позволяющих оценить и сравнить работу транзистора в статическом и динамическом режимах. Даны примеры практической реализации высоковольтных применений транзисторов BIMOSFET™ с подробным описанием схем и рекомендациями по их использованию.

В статье описана методика создания полупроводникового усилителя для радарных применений. Особое внимание уделяется разработке активных цепей усилителя и определению характеристик всех его компонентов. Кратко освещены проблемы каскадирования и объединения мощности параллельных цепочек усиления. В качестве примера в статье приводится гипотетический многокаскадный СВЧ-усилитель мощности S-диапазона.