SiC MESFET-транзисторы Cree позволили уменьшить габариты и стоимость измерительной аппаратуры 09.10.2007 Компания MILMEGA успешно использует SiC MESFET-транзисторы Cree в качестве комплектующих в своих новых СВЧ усилителях мощности.

Компания MILMEGA успешно использует SiC MESFET-транзисторы Cree в качестве комплектующих в своих новых СВЧ усилителях мощности.

Новые усилители мощности разработаны для рынков тестового оборудования и приборов, предназначенных для измерения электромагнитной совместимости. Для создания СВЧ-усилителей мощности, обладающих высокой надёжностью, исключительной плотностью мощности, а также простотой управления сигналом и портативностью, используются уникальные преимущества SiC MESFET-транзисторов Cree: сверхширокая полоса частот усиления (0…2,7 ГГц), высокие значения плотности мощности и КПД.

Как известно, применение в полупроводниковых приборах карбида кремния позволяет достигать наивысшего значения плотности мощности на единицу площади кристалла по сравнению с другими полупроводниковыми материалами. Это преимущество SiC и позволяет добиться высокой эффективности модулей и приборов на базе SiC MESFET-транзисторов. Кроме того, в отличие от изделий, выполненных на базе других СВЧ-транзисторов, применение SiC-транзисторов позволяет уменьшить размеры модулей в 3 раза. Уникальные характеристики SiC MESFET-транзисторов Cree помогают выигрывать не только по техническим характеристикам, но и по стоимости.

Компания Cree является пионером в разработке SiC MESFET-транзисторов и на сегодняшний день сохраняет лидирующие позиции в производстве широкозонных полупроводниковых приборов. Приобрести продукцию Cree можно у официального дистрибьютора на территории России и стран СНГ – компании ПРОСОФТ.

www.prochip.ru

Тел. (495) 232-2522