Самые мощные SiC-кристаллы для силовой электроники от компании Cree 29.03.2007 Компания Cree объявила о начале серийного производства новых кристаллов SiC-диодов Шоттки по технологии Zero Recovery® с прямым током 50 А и постоянным напряжением 1200 В. Новое поколение кристаллов CPW2-1200S050 позволяет достичь принципиально нового уровня эффективности силовых инверторов.

Компания Cree объявила о начале серийного производства новых кристаллов SiC-диодов Шоттки по технологии Zero Recovery® с прямым током 50 А и постоянным напряжением 1200 В. Новое поколение кристаллов CPW2-1200S050 позволяет достичь принципиально нового уровня эффективности силовых инверторов.

Основные области применения приборов на основе SiC-кристаллов CPW2-1200S050:

- генераторы для индукционного нагрева;

- промышленные приводы с преобразованием частоты;

- инверторы для электростанций, использующих энергию солнца и ветра;

- приводы электромобилей и автомобилей с гибридными двигателями.

В сравнении с традиционными кремниевыми диодами, SiC-диоды Шоттки обеспечивают радикальное снижение потерь мощности, упрощают решение вопросов электромагнитной совместимости и позволяют значительно увеличить надёжность изделий силовой электроники.При изготовлении новых кристаллов CPW2-1200S050 используются SiC-подложки диаметром 100 мм с ультранизкой плотностью дефектов. Размер кристаллов составляет 8,2 ґ 4 мм.Поставка SiC-кристаллов для силовой электроники CPW2-1200S050 на территории России и стран СНГ возможна со второго квартала 2007 г.

www.prochip.ru

Тел. (495) 232-2522