Читайте в номере Показать содержание

Стр. 8
Проблемы применения современной индустриальной электронной компонентной базы иностранного производства в ракетно-космической технике
Николай Данилин, Сергей Белослудцев

В статье обоснованы сложившиеся в Российской Федерации тенденции применения в ракетнокосмической технике и смежных отраслях промышленности новейших образцов зарубежной электронной компонентной базы (ЭКБ), не имеющих аналогов в своём классе среди компонентов военного назначения. Приводятся рекомендации по выбору элементов для реализуемых проектов с учётом эволюции технологий и производственных процессов на рынке современной электронной компонентной базы.

Стр. 14
Проекционные дисплейные технологии, представленные на SID`07
Александр Самарин

SID International Symposium, Seminar & Exhibition - ежегодная традиционная выставка и конференция, организуемая Обществом информационных дисплеев (The Society for Information Display) для демонстрации самых последних достижений в области технологий отображения информации. Симпозиум и выставка SID`07 проводилась с 20 по 25 мая 2007 г. в Long Beach Convention Center, штат Калифорния. Статья знакомит с некоторыми новинками проекционных технологий, представленных на этом мероприятии.

Стр. 24
Высокоёмкие конденсаторы для 0,5-вольтовой наноэлектроники будущего
Александр Деспотули, Александра Андреева

В наноэлектронике с уменьшением технологических норм и напряжения электропитания до 0,5 В резко возрастает необходимость использования высокоёмких конденсаторов микронных размеров. Конденсаторы традиционных типов не обладают нужной плотностью ёмкости, радиационной и температурной стойкостью. В статье показана необходимость разработки наноионных суперконденсаторов (НСК) на основе плёнок передовых суперионных проводников (ПСИП).
Потребность рынка в таких приборах - дело ближайшего будущего.

Стр. 38
Импульсные источники вторичного электропитания с универсальным входом
Владимир Ланцов, Саркис Эраносян

Импульсные источники вторичного электропитания (ИВЭ) с универсальным входом способны функционировать в широком диапазоне изменения входного напряжения: сетевого переменного ~85...264 В частотой 47...440 Гц или постоянного тока 120...370 В.
В статье описываются принцип действия и особенности проектирования ИВЭ этого класса. Даны рекомендации по выбору схемотехнических решений и основных компонентов.

Стр. 52
Высоковольтный импульсный источник питания большой мощности с управлением от микропроцессора (часть 1)
Евгений Владимиров, Владимир Ланцов, Ольга Лебедева

В статье дан обзор высоковольтных импульсных модуляторов для питания СВЧ-приборов (клистронов, магнетронов) и рентгеновских трубок. Наибольшее внимание уделено высоковольтным модуляторам, которые чаще называются импульсными высоковольтными источниками питания (ВИП). Рентгеновская трубка, как специфический тип нагрузки, определяет существенные особенности построения и работы таких устройств.
В публикации приведены схемы ВИП для питания рентгеновских трубок, в том числе с микропроцессорным управлением, отмечены особенности функционирования ВИП, его устройств и компонентов, описан алгоритм управления.

Информация о ценах

№7 / 2007 Годовая подписка 2017