Кремний − самый распространённый полупроводниковый материал, используемый в массовом производстве электронных приборов. Его широкое применение обусловлено доступностью (второй по распространённости химический элемент в земной коре после кислорода) и низкой стоимостью. Также важны полупроводниковые и оптические свойства кремния и его технологичность. Однако этот материал подходит к концу своего потенциала. При высоких температурах и радиации полупроводниковые свойства кремния ухудшаются, а низкая подвижность электронов ограничивает его конкурентоспособность в СВЧ-диапазоне, используемом в современных телекоммуникационных системах.
Ведущие научные группы работают над переходом электроники на новую компонентную базу. Одним из перспективных материалов для замены кремния является алмаз, характеризующийся высокой прочностью, стойкостью к радиации и высоким температурам. Алмаз становится полупроводником при добавлении примеси бора в его кристаллическую структуру. Алмазы встречаются реже кремния, и в последние два десятилетия были разработаны технологии получения их искусственных аналогов. Однако их производство остаётся затратным и сложным, поэтому необходимы более эффективные методы синтеза для использования алмазов в электронных компонентах и устройствах.
«Мы совместно с коллегами из СПбГУ разработали методику высокоточного определения концентрации бора в наноразмерных слоях полупроводниковых структур на основе синтезированного алмаза. Предложенный математический подход может использоваться как для контроля уже выращенных образцов, так и для подбора структур с наилучшими полупроводниковыми характеристиками», – рассказывает младший научный сотрудник кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Анна Васильевна Соломникова.
Samsung планирует начать массовое производство 2-нанометровых чипов с использованием технологии GAA в 2025 году
Компания Samsung может начать массовое производство новых чипов с использованием 2-нанометрового технологического процесса в 2025 году, как сообщает gizmochina. В этом 2-нм процессе будет применяться новая технология затворов транзисторов (GAA) следующего поколения, и в 2025 году начнётся массовое производство, а не тестирование. 02.05.2024 22 0 0В Великом Новгороде создали академический совет в области радиоэлектроники
На базе НовГУ – ИНТЦ «Валдай» прошло заседание круглого стола «Новые подходы и практики в инженерном образовании. Передовая инженерная школа», посвящённое созданию нового академического совета в области радиоэлектроники. Круглый стол завершил VI Фестиваль радиотехники, проходивший в регионе. 02.05.2024 24 0 0Конкуренция на рынке CPU для мобильных устройств обостряется
Новый микропроцессор Dimensity 9400 обещает быть очень быстрым. Борьба в сфере процессоров для мобильных устройств мотивирует разработчиков искать методы, которые сделают их предложение наиболее привлекательным, независимо от цены устройства или его возможностей. 02.05.2024 26 0 021.05 состоится вебинар «Парад ПЛК: Россия + Китай» – новинки 2024 года
Вопрос поставок программируемых логических контроллеров, являющихся одним из ключевых компонентов для создания АСУ ТП, крайне важен для рынка промышленной автоматизации в условиях действующих санкций. 21 мая компания ПРОСОФТ представит новинки своего ассортимента ПЛК. 02.05.2024 19 0 0